3 月 11 日消息，據比亞迪半導體官方發布，最新推出了 SOT-227 封裝 IGBT / 二極管系列模塊。

半導體行業的技術發展方向可歸納為更高的功率密度、開關頻率，以及更小的導通壓降、開關損耗、芯片尺寸、模塊體積。SOT-227 封裝介于單管和模塊之間，M4 螺絲法蘭底板安裝 4 個引出端口，屬于內絕緣封裝的一種，常用來封裝 IGBT、各類二極管、MOSFET 等。

比亞迪半導體針對該封裝確認了一單元和二極管兩種開發方向：

SOT-227 封裝 IGBT 模塊是目前功率半導體系列化開發方向之一，小體積與特有的一單元設計使得其具有較高的靈活度，可以自由搭配電路拓撲，因此在應用于空間要求高或結構布局特殊的拓撲時具有特別的優勢，也極大地方便了安裝及應用。

該產品為比亞迪自主 IGBT 芯片，采用標準封裝，兼容市場主流尺寸。優化 DBC 布局設計，降低采樣信號干擾。封裝體積小，安裝方便。可根據客戶需求自由搭配拓撲電路。應用領域包括 UPS 電源，變頻、伺服，光伏儲能等。

SOT-227 封裝二極管系列模塊同樣是功率半導體系列化開發方向之一，目前正廣泛應用于車載 OBC(IT之家注：為車載動力電池充電電力電子裝置，即車載充電器)系統，后續會向焊機低壓充電器等行業方向發展。因其體積小、易安裝等特點而正在逐步被市場接受和認可。

該產品為比亞迪自主 IGBT 芯片，采用標準封裝，兼容市場主流尺寸。正向壓降低，效率高封裝體積小，安裝方便可根據客戶需求自由搭配拓撲電路。應用領域包括 OBC、焊機、感應加熱等。

未來比亞迪半導體也會推出更多產品型號，致力于覆蓋全電壓、電流的 IGBT 一單元和二極管模塊產品。

IT之家備注：

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由(Bipolar Junction Transistor，BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(Metal Oxide Semiconductor，MOS)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(Giant Transistor，GTR)的低導通壓降兩方面的優點。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET 驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為 600V 及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT 是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

IGBT 模塊是由 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與 FWD(續流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品;封裝后的 IGBT 模塊直接應用于變頻器、UPS 不間斷電源等設備上。

IGBT 模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點;當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的 IGBT 也指 IGBT 模塊;隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見。

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