集微網(wǎng)消息，據(jù)鉅亨網(wǎng)報(bào)道，DRAM 廠商南亞科預(yù)計(jì)，今年 DRAM 需求將穩(wěn)定增長(zhǎng)。不過供應(yīng)商供貨增長(zhǎng)幅度預(yù)計(jì)有限，但5G 智能手機(jī)和數(shù)據(jù)中心不斷發(fā)展，可能推高需求端增長(zhǎng)幅度，整體產(chǎn)業(yè)有望健康發(fā)展。
南亞科董事長(zhǎng)吳嘉昭指出，今年預(yù)計(jì) DRAM 市場(chǎng)售價(jià)止跌回升，整體產(chǎn)業(yè)有望走出谷底，并邁向成長(zhǎng)。公司將投入更多的研發(fā)資源，加速開發(fā) 10 納米制程技術(shù)與新一代 DDR5 產(chǎn)品，同時(shí)規(guī)劃新廠擴(kuò)建，未來將以符合市場(chǎng)需求為目標(biāo)，逐步增加產(chǎn)出。
對(duì)于今年運(yùn)營(yíng)計(jì)劃，南亞科表示，10 納米1A 制程試產(chǎn)線已建設(shè)完成，今年將持續(xù)致力于產(chǎn)品試產(chǎn)及良率提升， 8Gb DDR4 預(yù)計(jì)下半年開始送樣認(rèn)證及小量生產(chǎn)；同時(shí)下一代 DDR5正在設(shè)計(jì)開發(fā)，預(yù)計(jì)下半年開始試產(chǎn)。此外，今年也將同步加速 1B 制程技術(shù)及產(chǎn)品開發(fā)時(shí)程，預(yù)計(jì)第三季開始試產(chǎn)首顆產(chǎn)品。
為滿足市場(chǎng)要求及公司長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展，南亞科已規(guī)劃興建一座12英寸先進(jìn)晶圓新廠，新廠將采用其自主研發(fā)的10納米制程技術(shù)，并規(guī)劃設(shè)立EUV極紫外光刻生產(chǎn)線，月產(chǎn)能約為4.5萬(wàn)片晶圓，最快將于今年底動(dòng)工，目標(biāo)在2023年完工試產(chǎn)。據(jù)悉，為因應(yīng) 1A 制程的量產(chǎn)、新廠房興建及一般部門資本支出，南亞科今年資本支出上限預(yù)計(jì)為新臺(tái)幣 156 億元（合5.56億美元）。（校對(duì)/樂川）
