集微網(wǎng)消息，日本芯片制造商鎧俠開發(fā)了大約170層的NAND閃存，并與美光和SK海力士共同獲得了這項尖端技術(shù)。
圖源：日經(jīng)亞洲評論
日經(jīng)亞洲評論報道稱，這種新型NAND存儲器是與美國合作伙伴西部數(shù)據(jù)（Western Digital）聯(lián)合開發(fā)的，其寫入數(shù)據(jù)的速度是鎧俠目前頂級產(chǎn)品（112層）的兩倍以上。
另外，鎧俠還成功地在新型NAND每層上安裝了更多的存儲單元，這意味著與相同容量的存儲器相比，它可以使芯片縮小30％以上。更小的芯片將使智能手機(jī)、服務(wù)器和其他產(chǎn)品的構(gòu)造具有更大的靈活性。
據(jù)悉，鎧俠計劃在正在進(jìn)行的國際固態(tài)電路大會上推出其新款NAND，并預(yù)計最早在明年開始量產(chǎn)。
隨著5G技術(shù)的興起，數(shù)據(jù)傳輸規(guī)模更大、速度更快，鎧俠希望挖掘與數(shù)據(jù)中心、智能手機(jī)相關(guān)的需求。但該領(lǐng)域的競爭已經(jīng)在加劇，美光和SK 海力士已先于鎧俠宣布了176層NAND。
為了提高閃存的產(chǎn)量，鎧俠和西部數(shù)據(jù)計劃今年春季在日本四日市建設(shè)一個1萬億日元（合94.5億美元）的工廠，他們的目標(biāo)是在2022年開通第一批生產(chǎn)線。此外，鎧俠在日本Kitakami工廠旁邊也收購了很多工廠，以便未來能夠根據(jù)需要擴(kuò)大產(chǎn)能。
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