采用突破性的縮放和晶圓鍵合技術，閃存架構迎來創新升級。

東京，2024年7月3日 - 鎧俠株式會社今日宣布，其采用第八代BiCS FLASHTM 3D閃存技術的2Tb四級單元 (QLC) 存儲器已開始送樣（1）。這款2Tb QLC存儲器擁有業界最大容量（2），將存儲器容量提升到一個全新的水平，將推動包括人工智能在內的多個應用領域的增長。

憑借其最新的BiCS FLASH?技術，通過專有工藝和創新架構，鎧俠實現了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡。此外，鎧俠還開發了突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）（3）技術，以提供更高的位密度和業界領先的接口速度（3.6Gbps（4））。這些先進技術的應用，共同促成了2Tb QLC存儲器的誕生，成就了業界容量最大的存儲器。

全新的第八代BiCS FLASH? 2Tb QLC的位密度比鎧俠目前所采用的第五代BiCS FLASH?的QLC產品提高了約2.3倍，寫入能效比提高了約70%。不僅如此，全新的QLC產品架構可在單個存儲器封裝中堆疊16個芯片，為業界提供領先的4TB容量，并采用更為緊湊的封裝設計，尺寸僅為11.5 x 13.5 mm，高度為1.5 mm。

Pure Storage公司（全球領先的數據存儲技術和服務提供商）的首席執行官Charles Giancarlo強調了鎧俠新技術對其公司平臺的重要意義：“我們與鎧俠保持著長期的合作關系，很高興能將他們的第八代BiCS FLASH? 2Tb QLC閃存產品整合到我們的全閃存存儲解決方案中。Pure Storage的統一全閃存數據存儲平臺不僅能夠滿足人工智能的嚴苛要求，還能實現極具競爭力的備份存儲成本。在鎧俠技術的支持下，Pure Storage將繼續提供卓越的性能、能效和可靠性，為客戶創造超凡價值。”

“我們很高興全新第八代BiCS FLASH?技術的2Tb QLC開始送樣，”鎧俠首席技術官Hideshi Miyajima表示，“鎧俠2Tb QLC產品憑借其業界領先的高位密度、高速傳輸接口和卓越的能效比，將為快速發展的人工智能應用，以及對功耗和空間要求嚴苛的大容量存儲應用帶來新的價值。”

除2Tb QLC之外，鎧俠還推出了1Tb QLC版本。相較于容量優化的2Tb QLC，1Tb QLC的順序寫入性能還能再提升約30%，讀取延遲提升約15%。1Tb QLC更適用于高性能領域，包括客戶端SSD和移動設備。

鎧俠將持續開發業界領先的存儲器產品，以滿足不斷增長的數據存儲解決方案需求。

注：

(1) 這些樣品僅用于功能檢測，樣品規格可能因量產部件而異。

(2) 截至2024年7月3日鎧俠的調查。

(3) CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）技術是指CMOS晶圓和單元儲存陣列晶圓都在更優的條件下單獨制造然后鍵合在一起的技術。

(4) 1Gbps按1,000,000,000 bits/s計算。該數值是在鎧俠株式會社的特定測試環境中獲得，可能會因用戶環境的不同而改變。

*關于鎧俠產品：產品密度是根據產品內存儲芯片的密度來確定的，而不是最終用戶可用于存儲數據的存儲器容量。消費者可使用的容量會因開銷數據區域(overhead data areas)、格式化、壞塊和其他限制而變少，而且也可能因主機設備和應用程序而變化。如需了解詳情，請參考適用的產品規格。根據定義，1KB=2^10字節=1,024字節。1Gb=2^30位=1,073,741,824位。1GB=2^30字節=1,073,741,824字節。1Tb=2^40位=1,099,511,627,776位。

* 這些數值是在鎧俠株式會社的特定測試環境中獲得的最佳值，鎧俠株式會社不保證在個別設備中的讀寫速度。讀寫速度可能會因使用的器件和讀取或寫入的文件大小而異。

* 所有公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

免責聲明：市場有風險，選擇需謹慎！此文僅供參考，不作買賣依據。

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