12 月 9 日消息，據(jù) The Elec 報道，ASML 近日在“2022 半導(dǎo)體 EUV 生態(tài)系統(tǒng)全球大會”上指出，ASML 的 EUV 設(shè)備生產(chǎn)臺數(shù)已經(jīng)從 2019 年的 22 臺增加到 2021 年的 42 臺，預(yù)計今年將超過 50 臺，明年生產(chǎn)臺數(shù)將進一步增加。High-NA EUV 設(shè)備將于明年年底推出初始版本，量產(chǎn)型號將于 2024 年底或 2025 年初推出。
在 10 月 19 日的第三季度財報公告中，ASML 表示：“在 EUV High-NA 業(yè)務(wù)中，ASML 收到了 TWINSCAN EXE:5200 的額外訂單;目前所有的 EUV 客戶都已提交 High-NA 訂單。”High-NA EUV 設(shè)備是將集光能力的鏡頭數(shù)值孔徑(NA)從 0.33 提高到 0.55 的設(shè)備。比現(xiàn)有的 EUV 設(shè)備處理更精細的半導(dǎo)體電路。業(yè)界大多數(shù)人認為，High-NA 設(shè)備對 2nm 工藝至關(guān)重要。
另據(jù) etnews 報道，三星電子和 SK 海力士向光刻機巨頭 ASML 訂購了下一代半導(dǎo)體設(shè)備 High-NA 極紫外光(EUV)曝光設(shè)備。繼臺積電和英特爾之后，韓國半導(dǎo)體制造商也在準備引進能夠?qū)崿F(xiàn) 2nm 工藝的設(shè)備。對最先進工藝的競爭預(yù)計將加劇。
IT之家了解到，High-NA EUV 設(shè)備比目前使用的 EUV 設(shè)備更昂貴，但它可以一次性實現(xiàn)超精細工藝(單次圖案化)，這可以極大地提高生產(chǎn)力。就三星電子而言，有必要在 3nm 量產(chǎn)后搶先確保 High-NA EUV 設(shè)備用于 2nm 量產(chǎn)。現(xiàn)有的 EUV 設(shè)備估計需要 2000 億韓元(約 10.08 億元人民幣)至 3000 億韓元(約 15.12 億元人民幣)，而 High-NA EUV 設(shè)備估計需要花費 5000 億韓元(約 25.2 億元人民幣)。
