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英特爾20 A工藝計劃在2024年上半年進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)階段

2022-12-06 10:20:11來源:IT之家

12 月 6 日消息,在近日的 IEDM 2022(2022 IEEE 國際電子器件會議)上,英特爾發(fā)布了多項突破性研究成果,并且還給出了最新的路線圖,強(qiáng)調(diào)該公司正保持“迅捷步伐”,而且他們不僅要維持正軌,還要加快交付時間。

按照英特爾的術(shù)語,后納米時代的切入點即為“埃米”,也就是十分之一納米,他們將低于 2 納米的工藝節(jié)點命名為 20A 和 18A,并且將以此首發(fā) / 首批采用 ASML 的 High NA EUV 設(shè)備(可能是 18A)。

簡單來說,英特爾20 A 工藝計劃在 2024 年上半年進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)階段,而 18A 工藝將在 2024 年下半年準(zhǔn)備就緒。

此外,英特爾還確認(rèn)其即將推出的 Intel4 工藝已準(zhǔn)備好生產(chǎn)。

值得注意的是,公司提到節(jié)點“準(zhǔn)備生產(chǎn)”的流程與他們預(yù)計流程處于風(fēng)險生產(chǎn)狀態(tài)的時間線相對應(yīng)。這意味著 Intel 4 現(xiàn)在處于風(fēng)險試產(chǎn)狀態(tài)。

也就是說,這可能意味著下一代 Meteor Lake 不會像一些小道爆料所說的那樣推遲到 2024 年,它將在 2023 年的某個時候到來。

該公司還透露,18A 工藝計劃在 2024 年 2 月進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)階段。

此外,英特爾還確認(rèn)其 20A 工藝將同時引入 RibbonFET 和 PowerVias 技術(shù)。

IT之家科普:RibbonFET 是一種環(huán)柵或納米晶體管結(jié)構(gòu),有望像 FinFET一樣延長摩爾定律,而 PowerVia 則是一種后端電源傳輸技術(shù),兩者結(jié)合的話必然會帶來相當(dāng)大的技術(shù)創(chuàng)新。

英特爾技術(shù)開發(fā)總經(jīng)理 Ann B Kelleher 表示:

“摩爾定律是關(guān)于功能創(chuàng)新的整合,當(dāng)我們展望未來 10 到 20 年的時候,會有一條充滿創(chuàng)新的路途。”

當(dāng)被問及在 20A 工藝上向 RibbonFET 和 PowerVias 技術(shù)過渡的問題,以及考慮到該公司在 10nm 工藝上的失誤所帶來的潛在風(fēng)險時,Ann Kelleher 表示:

“這些并不需要立即完成,但我們看到了轉(zhuǎn)移到 PowerVia 以啟用 RibbonFET 技術(shù)的顯著優(yōu)勢,.... 這一直非常成功,使我們能夠加快我們的開發(fā)工作。”

關(guān)鍵詞: 英特爾 工藝

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