5 月 13 日消息，三星電子此前表示，將在本季度 (即這幾周) 開始使用 3GAE (早期 3nm 級柵極全能) 工藝進行大規模生產。不過，先前業界傳出三星 3nm 良率僅 20～30%，可能拖累量產進程，引起業界擔憂。

據電子時報，業界傳出消息稱三星 3nm 良率問題已解決，3nm GAA 制程將如期量產。

IT之家曾報道，三星在其第一季度電話會議上向其股東保證，該公司正在按計劃進行。三星電子正努力打消股東對于有傳聞稱代工部門產率出現問題的擔憂。

在芯片生產方面，他還表示，5nm 工藝已經進入批量生產的成熟階段，而 4nm 芯片的產能將很快開始改善，“雖然 4 納米制程初期的產量擴大有所延遲，但目前正以穩定為重點，進入預期的產量改善曲線。”

他還表示:“通過改善 3nm 制程的節點開發體系，三星現在對每個開發階段都有一個驗證流程”，他強調這將有助于縮短產量爬坡期，提高盈利能力，并確保更穩定的供應。

在接下來的 3nm 節點中，三星比臺積電更激進，決定放棄 FinFET 晶體管技術，全球首發 GAA 晶體管工藝，而臺積電的 3nm 工藝依然會基于舊工藝。

三星之前表示，GAA 是一種新型的環繞柵極晶體管，通過使用納米片設備制造出了 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管)，該技術可以顯著增強晶體管性能。

根據三星的說法，與 7nm 制造工藝相比，3nm GAA 技術的邏輯面積效率提高了 45% 以上，功耗降低了 50%，性能提高了約 35%，紙面參數上來說卻是要優于臺積電 3nm FinFET 工藝。

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