5 月 13 日消息，美光公司周四發布了業界首個具有 232 層的 3D NAND 閃存，該公司計劃將其新的 232 層 3D NAND 產品用于各種產品，包括固態硬盤，并計劃在 2022 年底左右開始量產此類芯片。

IT之家了解到，美光的 232 層 3D NAND 閃存采用 3D TLC 架構，原始容量為 1Tb(128GB)。該芯片基于美光的 CuA 架構，并使用 NAND 字符串堆疊技術，在彼此的頂部建立兩個 3D NAND 陣列。

CuA 設計加上 232 層 NAND，將大大減少美光 1Tb 3D TLC NAND 閃存的芯片尺寸，這有望降低生產成本，使美光能夠對采用這些芯片的設備進行更有競爭力的定價，或者增加其利潤率。

美光沒有宣布其新的 232L 3D TLC NAND IC 的 I / O 速度或平面數量，但暗示與現有的 3D NAND 設備相比，新的內存將提供更高的性能，這對采用 PCIe 5.0 接口的下一代 SSD 特別有用。

談到固態硬盤，美光的技術和產品執行副總裁 Scott DeBoer 指出，該公司已經與內部和第三方 NAND 控制器(用于固態硬盤和其他基于 NAND 的存儲設備)的開發者密切合作，以實現對新型內存的支持。

在其 232 層 3D TLC NAND 的其他優勢中，美光還提到與上一代節點相比功耗更低。

考慮到美光將在 2022 年年底開始生產 232 層 3D TLC NAND 設備，預計采用新內存的固態硬盤將在 2023 年左右到來。

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