5 月 9 日，Tower半導體宣布擴展其電源管理平臺，發布其最先進的第二代 65nm BCD，將操作范圍擴大到 24V，并將 RDSON 降低 20%。該公司還在其 180nm BCD 平臺上添加了深溝槽隔離，可將電壓高達 125V 的芯片尺寸降低 40%。新版本滿足了對更高電壓和更高功率 IC 不斷增長的需求，進一步增強了 Tower 在功率器件方面的領先市場地位。

Tower 的 65 納米 BCD 平臺以其在功率性能、成本和集成競爭力方面的領先優勢而被稱為一流的 sub-90 納米 BCD 技術。第二代 65nm BCD 受益于功率性能和芯片尺寸減少多達 20%，這是由于用于高達 16V 的器件的 LDMOS RDSON 減少以及電壓擴展到 24V 運行。這些進步滿足了計算和消費市場對單片大功率轉換器的需求，包括用于 CPU 和 GPU 的高功率電壓調節器以及充電器、大功率電機驅動器和功率轉換器等應用。

該公司的 180nm BCD 在電壓覆蓋、隔離方案、功率性能、芯片尺寸和掩模數量方面是業界最寬、一流的平臺。180nm BCD 深溝槽隔離方案在單個 IC 內提供了更好的抗噪性，在升高的電壓下具有靈活性，可以在多個隔離方案之間進行選擇，并將芯片尺寸減少多達 40%。

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