市調機構 Yole Dédevelopement 近日發布《內存行業年度狀況報告》顯示，2022 年，DRAM、NAND 閃存市場將分別增長 25%、24% 到 1180 億美元、830 億美元，均創歷史新高。2021-2027 年，獨立內存市場預計將以 8% 的 CAGR 增長至 2600 多億美元。然而，季節性因素仍將存在。

據 Evertiq 報道，Yole 存儲器高級市場與技術分析師 Simone Bertolazzi 博士表示，“在貿易摩擦和新冠疫情爆發的情況下，獨立內存市場在過去兩年一直在擴張。2020 年和 2021 的收入分別增長了 15% 和 32%。如此顯著的增長是大多數細分市場的生產受限和需求強勁增長共同推動的。”

2022 年是 NAND 閃存發明 35 周年。自 1987 年以來，NAND 設備的位密度和位成本一直在不斷提高。為了維持這種規模，人們正在深入研究新的技術解決方案，包括 CBA 體系結構，如長江存儲的 Xtacking 方法。如今，所有的存儲器制造商都在使用混合鍵合設備進行研發。鎧俠和三星等主要供應商正在將晶圓對晶圓鍵合納入 NAND 路線圖。

DRAM 業務上，Yole 指出了當前的共識，即平面縮放 —— 即使通過光刻 EUV 工藝，也不足以在整個未來十年提供所需的位密度改善。因此，主要設備供應商和領先的 DRAM 制造商正在考慮將單片 3D DRAM(相當于 3D NAND 的 DRAM)作為長期擴展的潛在解決方案。Yole 的分析師認為，這種新型 3D 技術可能會在 2029-2030 年進入市場。

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