12 月 21 日消息，三星電子今日宣布，已成功開發出其首款采用 12 納米(nm)級工藝技術打造的 16Gb DDR5 DRAM，并與 AMD 一起完成了兼容性方面的產品評估。
三星表示，這一技術突破是通過使用一種新的高介電(high-k)材料來增加電池電容，以及改進關鍵電路特性的專利設計技術而實現的。
三星數據顯示，結合先進的多層極紫外(EUV)光刻技術，新款 DRAM擁有三星最高的 Die 密度(Die density)，可使晶圓生產率提高 20%。基于 DDR5 最新標準，三星 12nm 級 DRAM將解鎖高達 7.2 千兆每秒(Gbps)的速度。
能效方面，與上一代三星 DRAM 產品相比，12nm 級 DRAM 的功耗降低約 23%。
IT之家了解到，隨著 2023 年新款 DRAM 量產，三星計劃將這一基于先進 12nm 級工藝技術的 DRAM 產品擴展到更廣泛的市場領域。
