5 月 16 日消息，據(jù) TechPowerUp 消息，西部數(shù)據(jù)與鎧俠合作，將在今年量產(chǎn)第六代 BiCS NAND，該產(chǎn)品采用了162 層 NAND 閃存堆疊技術(shù)。

據(jù)介紹，西部數(shù)據(jù)與鎧俠的 162 層 NAND 閃存將達到競爭對手 176 層的容量，而且芯片尺寸更小，單晶圓可達 100TB，比上一代的單晶圓 70TB 大幅增加。

西部數(shù)據(jù)與鎧俠還公布了未來的路線圖，2024 年的 BiCS+ 的層數(shù)超過 200 層，如果一切按計劃進行，2032 年應(yīng)該會看到 500 層 NAND 閃存。

IT之家曾報道，2020 年，西部數(shù)據(jù)公司和鎧俠公司發(fā)布了第五代 BiCS 3D NAND，BiCS5 的設(shè)計使用了 112 層設(shè)計，密度相比上代增加了 40%。接口速度提高了 50%，達到 1.2GT / s。第六代 BiCS NAND 的參數(shù)信息預(yù)計會在今年晚些時候量產(chǎn)時公布。

關(guān)鍵詞： 西部數(shù)據(jù)