5 月 13 日消息，西部數(shù)據(jù)在 5 月 10 日的發(fā)布會(huì)中不僅發(fā)布了一系列新品，還透露了其 3D 閃存路線圖。

西數(shù)稱，他們的下一代的 BiCS6 為 162 層 3D NAND，而西數(shù)剛發(fā)布的旗艦固態(tài) SN850X 使用的則是 2020 年生產(chǎn)的 BiCS5 112 層 3D NAND 。

BiCS6 將帶來(lái)更快的 I / O 接口和更快的顆粒帶寬，而且其 QLC 版本擁有比 TLC 版本更小的芯片面積和更高的存儲(chǔ)密度，而且雖然西數(shù)的 BiCS6 QLC 顆粒的堆疊層數(shù)比美光和 SK 海力士的 176 層 QLC 閃存要低一些，但存儲(chǔ)密度卻超越了它們。

QLC 顆粒自它誕生的那天起就被網(wǎng)友們冠上“垃圾”的名頭，原因就是它不僅寫入壽命短，緩?fù)鈱懭胨俣冗€低的離譜。當(dāng)消費(fèi)者們看到 QLC 硬盤的產(chǎn)品宣傳頁(yè)面寫著 2000MB/s的寫入速度就興沖沖的將其買回家時(shí)，他們還不知道這些硬盤的緩?fù)鈱懭胨俣葘?shí)際上只有可憐的幾十 MB 每秒，甚至不如機(jī)械硬盤。

緩?fù)鈱懭胨俣燃礊閿?shù)據(jù)直接在儲(chǔ)存顆粒上的寫入速度，廠家一般會(huì)通過(guò)添加 SLC 緩存、虛擬緩存、DRAM 緩存等手段來(lái)延緩這種情況的出現(xiàn)。然而這些緩存的容量一般都遠(yuǎn)小于硬盤的實(shí)際容量，對(duì)于平價(jià)的 QLC 固態(tài)來(lái)說(shuō)更是如此。

而西數(shù)優(yōu)化了其 QLC 顆粒的寫入速度，BiCS6 的 QLC 版本寫入速度達(dá)到了 60MB/s，是英特爾 144 層 QLC 的 1.5 倍，是自家 96 層 BiCS4 QLC 的 6 倍還多。盡管該速度還是比 BiCS6 的 TLC 版本慢了 60%。

采用 BiCS6 3D NAND 的 TLC 以及 QLC 固態(tài)硬盤將會(huì)在 2022 年底生產(chǎn)，而且其幻燈片上還提到了 PLC 顆粒(QLC 的下一代)，但官方并未公布其更多信息。

IT之家了解到，西數(shù)還稱將為企業(yè)用戶開發(fā) 200 多層的 BiCS + 閃存以滿足數(shù)據(jù)中心對(duì)高容量和高性能的需求，與 BiCS6 相比，BiCS + 在儲(chǔ)存密度將增長(zhǎng) 55%，且其傳輸速度提高 60%，寫入速度也會(huì)提高 15%。

除此之外西數(shù)還公開了一些正在研發(fā)中的技術(shù)，比如通過(guò)粘合多個(gè)晶圓并使用其他先進(jìn)技術(shù)制造具有 500 多層的 3D NAND，通過(guò)路線圖得知該技術(shù)有望在 2032 年到來(lái)。

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