近日，商務部轉載韓國《STRAIGHTNEWS》新聞指出，三星電子近期完成了在西安建設的半導體二期擴建工程，并正式投入生產。三星電子西安二期項目的投產，達到 13 萬片 / 月的產能，再加上原來每月 12 萬片的產量，產能將達到 25 萬片 / 月。西安工廠是三星電子 NAND 閃存半導體的生產據點。通過此次擴建，三星電子的 NAND 閃存生產能力將占世界市場的 10% 以上。

陜西日報消息指出，西安三星半導體一期項目于 2012 年 9 月開工建設，2014 年 5 月建成投產，投資總額由建廠時計劃的 70 億美元增加到實際完成投資 108.7 億美元，其中閃存芯片項目投資 100 億美元，封裝測試項目投資 8.7 億美元。

2017 年 8 月 30 日，西安三星半導體投資 70 億美元在西安高新區建設 12 英寸閃存芯片二期項目，新建一條閃存生產線。2019 年 12 月，該公司決定再投資 80 億美元，擬對二期項目進行擴建，實現增產及產品迭代。

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