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銓興科技:推出DDR5內(nèi)存采用美光最新1z nm 16Gb DDR5顆粒

2021-12-30 15:15:48來源:IT之家

12 月 30 日消息,根據(jù)愛集微消息,今日深圳市銓興科技有限公司參加了“2022 第三屆中國半導體投資聯(lián)盟年會暨中國 IC 風云榜頒獎典禮”,獲得“年度市場突破獎”。

銓興科技表示,2021 年加大研究開發(fā)和技術創(chuàng)新投入,經(jīng)過不懈努力,研發(fā)出了 DDR5 內(nèi)存模組、高速外接式固態(tài)硬盤(PSSD)。

銓興科技董事長黃少娃表示,其 DDR5 內(nèi)存采用美光最新 1z nm 16Gb DDR5 顆粒,頻率 4800MHz。今年年底推出的高速外接式固態(tài)硬盤 PSSD,讀寫速度均達到 2000 MB / s。

IT之家獲悉,目前銓興科技在售的產(chǎn)品包括DDR4 內(nèi)存條、2.5 英寸 SSD、SD 存儲卡等。該公司在閃存專業(yè)封測領域,,可以提供由芯片測試、封裝、成品功能測試等一站式服務;在 SiP 封裝領域,銓天科技整合高密度 SMT 貼片和封裝技術, 將提供各類型系統(tǒng)級封裝服務, 其中面向儲存、射頻、音頻市場提供 LGA 封裝服務。

官方表示,2022 年銓興科技將加大研發(fā)投入,發(fā)力工控、射頻封裝、傳感器封裝等特色封裝技術以及企業(yè)級的產(chǎn)品領域,擴寬產(chǎn)品線。此外,電競類產(chǎn)品將跟隨 Intel 第 12 代 CPU 產(chǎn)品發(fā)布節(jié)奏做同步的規(guī)劃,屆時,將有不同速度的 DDR5 產(chǎn)品推出及高速固態(tài)硬盤的搭配。

關鍵詞: DDR5 內(nèi)存 銓興科技

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