11 月 26 日，在 2021(秋季)USB PD&Type-C 亞洲展上，英諾賽科展示了 All GaN 解決方案;與此同時，英諾賽科高級產品應用經理鄒艷波發表了《高性能 All GaN 方案為 USB PD 3.1 應用加速》的主題演講，現場解析更多 GaN 市場價值及應用新動向。
“USB PD 3.1 快充標準帶來了更高的輸出電壓、更高的功率和功率密度。除了手機、平板、筆記本電腦外，還可以應用于顯示器、相機、無人機、掃地機器人，電動工具以及電動自行車等多個場景。”鄒艷波指出，“目前，英諾賽科的 GaN 器件已經實現全場景覆蓋。”
不過，USB PD 3.1 協議的推出對電源設計也提出了新的挑戰。而采用氮化鎵(GaN)制成的功率器件憑借其出色的效率及高速切換頻率的優勢，能完美應對電源設計中的難題。
為此，英諾賽科推出了從 65W 到 240W 全系列 All GaN 解決方案，讓功率密度和效率進一步提升。針對 All GaN 方案，英諾賽科推出了 150V GaN 芯片，與目前市面上最高標準的 150V Si MOS 相比，性能提升 2-3 倍。
據鄒艷波介紹，英諾賽科 All GaN 方案有以下三種：65W1C，140W 28V/5A 和 240W 48V/5A。
其中，基于 150V GaN 性能，在原方案上升級的 65W All GaN 方案，功率密度可達 31W/in3。在 90V 交流電下效率為 93.4%，在 230V 下效率達 94.7%。
140W 方案可支持 28V/5A 輸出，采用無橋 PFC+ACF 架構，功率密度達 30W/in3，大小與傳統 65W 快充尺寸相當。
240W(PD3.1 48V5A)方案采用 Totem pole 無橋 PFC+LLC 設計，功率密度高達 41W/in3，效率達 96.5%，尺寸僅為一張銀行卡大小。
鄒艷波表示，在量產高低壓氮化鎵器件的基礎上，英諾賽科也致力于做全鏈路高效、高頻和高功率密度的方案，從前端電網側，轉到我們的充電器以及到手機內部，實現整個從端到端的解決方案，幫助大家提升能效。值得一提的是，在 IDM 模式助力下，英諾賽科每兩代產品升級，可使單片晶圓的芯片數量增加 2 倍左右。
得益于豐富的 InnoGaN 系列產品線，英諾賽科在消費類電源市場高歌猛進，當前出貨量已突破 4000 萬顆，已經被聯想、努比亞、魅族、ANKER、綠聯、倍思、品勝、MOMAX、ROCK、REMAX、QCY、Lapo、tegic等多家知名品牌和廠商的上百款產品所采用，并與合作伙伴共同推出優秀的氮化鎵應用方案。
對于未來發展，鄒艷波表示，All GaN 方案在綠色能源、數據中心能源、智能電動、直流樓宇等四大領域都將有廣泛的應用機會。他指出，“英諾賽科在‘GaN’一件有意義的事情。如果用氮化鎵去提升整個供電電路 5% 的效能，以全球每年電能消耗 27 萬億千瓦時來計算，可以實現 10 億噸的碳減排。”
