10月29日消息，瀾起科技宣布其DDR5第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該系列芯片是DDR5內(nèi)存模組的重要組件，包括寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器 (RCD)、數(shù)據(jù)緩沖器 (DB)、串行檢測(cè)集線器 (SPD Hub)、溫度傳感器 (TS) 和電源管理芯片 (PMIC)，可為DDR5 RDIMM、LRDIMM、UDIMM、SODIMM等內(nèi)存模組提供整體解決方案。
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，內(nèi)存技術(shù)現(xiàn)已發(fā)展至DDR5世代。作為業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存接口芯片組供應(yīng)商和JEDEC內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的積極貢獻(xiàn)者，瀾起科技專注于內(nèi)存接口技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新，這次推出的DDR5第一子代內(nèi)存接口芯片RCD/DB，支持的最高速率達(dá)4800Mbps，是 DDR4最高速率的1.5倍;接口電壓低至1.1V，能耗更低;采用創(chuàng)新的信號(hào)校準(zhǔn)協(xié)議及均衡技術(shù)，大幅提高了內(nèi)存信號(hào)完整性。
與DDR4內(nèi)存模組相比，DDR5內(nèi)存模組在架構(gòu)上進(jìn)行了革新，除配置內(nèi)存顆粒和內(nèi)存接口芯片之外，還需要搭配其它專用配套芯片。瀾起科技精準(zhǔn)把握這一技術(shù)趨勢(shì)，首次推出了DDR5 PMIC、TS 及SPD Hub這三款配套芯片，可為DDR5內(nèi)存模組提供多通道電源及管理、多點(diǎn)溫度檢測(cè)、I3C串行總線及路由等輔助功能。這些配套芯片與內(nèi)存接口芯片一起，共同助力DDR5內(nèi)存模組在速度、容量、節(jié)能及可靠性等方面實(shí)現(xiàn)全面提升，滿足新一代服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)及便攜式電腦對(duì)內(nèi)存系統(tǒng)的更高要求。
