7 月 12 日消息據外媒 Neowin 消息，韓國芯片制造商 SK 海力士今日宣布，已經利用 EVU 極紫外光光刻機，研發出1anm 芯片制造工藝。這項技術相比 2019 年推出的 1znm 工藝，密度更大，制成的芯片功耗更低。
官方表示，該技術可以在相同的晶圓面積下，獲得多達 25% 的芯片產量提升。
海力士 1anm 技術可以使得目前智能手機廣泛使用的 LPDDR4 內存芯片達到 4266Mbps 的高速度，與更先進的 LPDDR4X 芯片頻率一致。不僅如此，采用新工藝的內存芯片功耗可以降低多達 20%。
IT之家還了解到，搭載海力士最新 1anm 工藝內存芯片的智能手機，預計將在今年下半年上市。海力士未來還會將該工藝應用于 LPDDR5 內存的生產上。
