4 月 25 日消息根據(jù)嘉合勁威官方消息，近日嘉合勁威首批 DDR5 內(nèi)存條在深圳坪山工廠量產(chǎn)下線。此前該公司子品牌江波龍(Longsys)宣布推出 DDR5 內(nèi)存條，并公布了測試數(shù)據(jù)，本次量產(chǎn)標(biāo)志著 DDR5 內(nèi)存正式成型，可兼容英特爾 12 代酷睿桌面平臺。
嘉合勁威在圖中展現(xiàn)了大量內(nèi)存模組的 PCB 原型。官方表示，2020 年 12 月嘉合勁威宣布率先全面布局 DDR5 內(nèi)存模組生產(chǎn);2021 年 2 月嘉合勁威旗下阿斯加特率先推出了首款 DDR5 內(nèi)存條;3 月美光(Micron)DDR5 DRAM 內(nèi)存顆粒現(xiàn)貨到廠，嘉合勁威積極備貨準(zhǔn)備 DDR5 量產(chǎn);目前，首批 DDR5 內(nèi)存條完成量產(chǎn)下線。
這一批次的 DDR5 內(nèi)存條采用美光 DRAM 顆粒制造，頻率 4800MHz，電壓 1.1V，時序 40-40-40，容量 16G(單面)/32G(雙面)。官方表示，未來將陸續(xù)生成更高頻率、更大容量的 DDR5。相對于 DDR4 來說，DDR5 的功耗更低，穩(wěn)定性、安全性更高，容量、頻率的上限將實現(xiàn)數(shù)倍提升。
IT之家了解到，DDR5 內(nèi)存相比 DDR4 功耗更低，將DC 電源模組由主板轉(zhuǎn)移至內(nèi)存條 PCB 上。圖中可見供電模塊的芯片、電感、MLCC 電容等組件。
根據(jù)官方數(shù)據(jù)，嘉合勁威 DDR5 內(nèi)存讀寫、拷貝速度明顯高于 DDR4 內(nèi)存，但目前來看延遲略高。此外，這款內(nèi)存支持 On-die-ECC 糾錯功能，單條內(nèi)存可實現(xiàn)雙通道，提高運行速率。
除此之外，影馳也表示正在研發(fā) HOF 系列 DDR5 內(nèi)存條，并公布了鎂光 DRAM 顆粒的照片
