8 月 20 日消息，作為電腦必不可少的硬件，內(nèi)存的容量從來都是越大越好。近日，三星跟 AMD 的內(nèi)存專家舉辦了溝通會，探討了三星在 DDR5 內(nèi)存方面的發(fā)展，其中就談到了 DDR5 內(nèi)存容量的問題。

跟此前的 DDR4 相比，DDR5 內(nèi)存將電壓降低到了 1.1V，頻率可達到 7200MHz 以上，bank 數(shù)量翻倍到 32 個，預(yù)取位數(shù)也翻倍到 16n。三星計劃在 2023 年將內(nèi)存核心容量提高到 32Gb，堆棧層數(shù)提高到 8H。在 2024 年，三星計劃推出 1TB 單條 DDR5 內(nèi)存，該內(nèi)存將使用 32 個 8-Hi 32GB 堆棧，適配 2024 年-2025 年發(fā)布的服務(wù)器平臺

除了容量提升，三星還計劃進一步提升 DDR5 內(nèi)存的速度。三星 PPT 顯示其將在 2025 年發(fā)布 DDR5-7200，預(yù)計其傳輸速率將達到 10,000+MT / s。

IT之家了解到，此前有消息稱，三星正在開發(fā) DDR6 內(nèi)存，該內(nèi)存將采用 MSAP 封裝技術(shù)，預(yù)計能夠?qū)崿F(xiàn)大約 12800Mbps 的傳輸速率。對于 DDR6 內(nèi)存，單條達到 1TB 應(yīng)該較為輕松。不過現(xiàn)在看來 ，三星可能在 DDR5 時代就實現(xiàn)單條 1TB 的設(shè)計。

雖然單條 1TB 對于消費者來說成本太高，但對于服務(wù)器平臺來說容量更為重要。目前，Zen4 架構(gòu)的 EPYC 7004 系列可以做到 96 個內(nèi)核，這意味著其對內(nèi)存的需求越來越高。

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