新的 NXH50M65L4C2SG和 NXH50M65L4C2ESG分別是基于標(biāo)準(zhǔn)氧化鋁 (AI2O3) 基板和增強(qiáng)型低熱阻基板的壓鑄模功率集成模塊 (TMPIM) 。這些模塊非常適用于具有高輸出功率的強(qiáng)固工業(yè)應(yīng)用，它們包含一個轉(zhuǎn)換器-逆變器-PFC電路，由集成四個75 A、1600 V整流器的單相轉(zhuǎn)換器組成。三相逆變器使用6個集成反向二極管的50 A、600 V的IGBT，雙通道交錯式PFC包括兩個集成反向二極管的75 A、650 V PFC IGBT，和兩個50 A、650 V PFC二極管。壓鑄模功率集成模塊嵌入了一個負(fù)溫系數(shù) (NTC) 熱敏電阻，以在工作期間監(jiān)測器件溫度。
由于該模塊以優(yōu)化的布局和配置進(jìn)行預(yù)封裝，與基于 PCB 的分立設(shè)計(jì)相比，寄生元素非常小，從而實(shí)現(xiàn)在 18 kHz 和 65 kHz 之間的寬 PFC 開關(guān)頻率范圍。 高能效的 NXH50M65L4C2SG 和 NXH50M65L4C2ESG 額定電流為 50 A，能在高達(dá) 8 kW 的應(yīng)用中使用，是安森美半導(dǎo)體 TMPIM 系列的最新器件。其他器件的額定電流為 20 A 和 30 A。
緊湊的壓鑄模DIP-26封裝尺寸僅73毫米x 47毫米x 8毫米--比當(dāng)前的方案節(jié)省20%的面積，實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度水平。密封和強(qiáng)固的封裝包括一個集成散熱片(距引腳6毫米)，并提供高水平的耐腐蝕性。
安森美半導(dǎo)體還提供碳化硅 (SiC) 配置選項(xiàng)以進(jìn)一步提高開關(guān)頻率和能效。
新的NXH50M65L4C2SG和NXH50M65L4C2ESG配以 FAN9672 PFC控制器和門極驅(qū)動器方案，包括新的NCD5700x系列器件。最近推出的NCD57252雙通道隔離型IGBT/MOSFET門極驅(qū)動器提供5 kV的電隔離，可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。NCD57252采用小型SOIC-16寬體封裝，接受邏輯電平輸入(3.3 V、5 V和15 V)。該高電流器件(在米勒平臺電壓下，源電流4.0 A/灌電流6.0 A)適合高速工作，因?yàn)榈湫蛡鞑パ舆t為60 ns。
以最高能效的方式驅(qū)動電機(jī)是簡化安裝、降低熱量積聚、提高可靠性以及降低系統(tǒng)成本的關(guān)鍵。 安森美半導(dǎo)體的 TMPIM 器件將輸出引腳標(biāo)準(zhǔn)化，最小化寄生元素，為設(shè)計(jì)人員提供高性能的“即插即用”方案。 將 NXH50M65L4C2SG 和 NXH50M65L4C2ESG 與 FAN9672 和 NCD57252 相結(jié)合，提供一個快速設(shè)計(jì)路徑，以實(shí)現(xiàn)精密高能效的電機(jī)控制方案。
關(guān)鍵詞： 半導(dǎo)體 轉(zhuǎn)換器 逆變器
