Kioxia宣布計(jì)劃擴(kuò)大生產(chǎn)基地的規(guī)模，新建名為K2的晶圓廠。這是一個(gè)令人有點(diǎn)驚訝的舉動(dòng)。畢竟距離Kioxia宣布上一座晶圓廠也是沒(méi)多久之前的事。在不到兩個(gè)月的時(shí)間里宣布的第二座晶圓廠，表明了對(duì)未來(lái)幾年3D NAND閃存不斷增長(zhǎng)的需求充滿信心。

如果計(jì)劃順利進(jìn)行，兩個(gè)新的晶圓廠將在2023至2024年左右全面落成。

Kioxia與合作伙伴西部數(shù)據(jù)正在日本巖手縣北上附近的K1晶圓廠加緊生產(chǎn)96層BiCS 3D NAND閃存。按照規(guī)模來(lái)算，K1晶圓廠是世界上最大的合資工廠(根據(jù)兩家公司的說(shuō)法)，其無(wú)塵車(chē)間將分四個(gè)階段建成。K1晶圓廠于今年早些時(shí)候在一期工廠開(kāi)始了3D NAND閃存的商業(yè)化生產(chǎn)，預(yù)計(jì)在此期間產(chǎn)量將有所增長(zhǎng)，同時(shí)隨著時(shí)間的推移再增加三期的無(wú)塵車(chē)間。

Kioxia將在目前廠區(qū)附近開(kāi)始籌備13.6萬(wàn)平方米的面積，用于K2晶圓廠的建設(shè)。前期準(zhǔn)備工作將于2021年春季開(kāi)始，預(yù)計(jì)將于2022年春季完成。如果Kioxia決定在2022年初開(kāi)始建造，那么將在2023年初完成，并為設(shè)備入駐做好準(zhǔn)備。通常情況下，裝備無(wú)塵車(chē)間設(shè)備并開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)需要1到1年半的時(shí)間。所以，如果Kioxia按照正常的晶圓廠建設(shè)計(jì)劃，K2晶圓廠可能會(huì)在2024年開(kāi)始運(yùn)營(yíng)。

目前Kioxia尚未公布K2晶圓廠的具體時(shí)間表，很可能涉及與合作伙伴西部數(shù)碼就關(guān)于新工廠的聯(lián)合投資條款進(jìn)行協(xié)商。Kioxia和西部數(shù)據(jù)的K1晶圓廠占地約15萬(wàn)平方米，包括配套設(shè)施、行政大樓以及生產(chǎn)設(shè)施本身。K2晶圓廠的占地面積相比之下會(huì)小一些，因?yàn)椴恍枰?dú)立的行政樓，因此生產(chǎn)規(guī)?？赡軙?huì)與K1晶圓廠類(lèi)似。

根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，在2020年第三季度，Kioxia和西部數(shù)據(jù)占據(jù)了35.2%的3D NAND閃存份額，略微領(lǐng)先于三星的33.1%份額。

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